Título
Characterization of silicon rich oxides with tunable optical band gap on sapphire substrates by photoluminescence, UV/Vis and raman spectroscopy
Autor
JOSE ALBERTO LUNA LOPEZ
MARIANO ACEVES MIJARES
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Silicon rich oxides - (SILICON RICH OXIDES) Optical properties - (OPTICAL PROPERTIES) Photoluminiscence - (PHOTOLUMINISCENCE) Silicon nano crystals - (SILICON NANO CRYSTALS) Nanostructured materials - (NANOSTRUCTURED MATERIALS) Luminescence - (LUMINESCENCE) Raman spectroscopy - (RAMAN SPECTROSCOPY) Silicon rich oxides - (SILICON RICH OXIDES) Óxidos de silicio - (ÓXIDOS DE SILICIO) Propiedades ópticas - (PROPIEDADES ÓPTICAS) Fotoluminiscencia - (FOTOLUMINISCENCIA) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI)
Resumen o descripción
A detailed analysis of the optical properties of silicon rich oxides (SRO) thin films and the factors that influence them is presented. SRO films with different Si content were synthesized via LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) on sapphire substrates. Photoluminescence (PL), UV/Vis and Raman spectroscopy were used to characterize the samples. An intense emission in blue region was found. An interesting fact is that the optical band gap correlates linearly with the reactants ratio, which allows the tuning of the band gap. The influence of parameters such as substrate, Si content, annealing temperature and annealing time on the optical properties are discussed and the possible mechanisms of the photoluminescence are compared with our experimental data.
Se presenta un análisis detallado de las propiedades ópticas de películas delgadas de oxido de silicio rico en silicio (SRO) y los factores que tienen influencia en las propiedades físicas. Películas de SRO con diferente contenido de silicio fueron depositadas por LPCVD (Deposito químico en fase vapor a baja presiónlow pressure chemical vapor deposition) sobre substratos de zafiro. Fotoluminiscencia (FL) espectroscopia UV/Vis y Raman se usaron para caracterizar las muestras. Se encontró una intensa emisión en la región azul. La característica más interesante es la banda prohibida óptica, que se correlaciona linealmente con la razón de los reactivos, lo cual permite el ajuste de la banda prohibida. Las influencias de los parámetros como el substrato, contenido de silicio, temperatura y tiempo de recocido en las propiedades ópticas se discuten y los posibles mecanismos de fotoluminiscencia son comparados con los datos experimentales.
Editor
Sociedad Química de México
Fecha de publicación
2008
Tipo de publicación
Artículo
Versión de la publicación
Versión aceptada
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Inglés
Audiencia
Estudiantes
Investigadores
Público en general
Sugerencia de citación
Ragnar K., et al., (2008). Characterization of silicon rich oxides with tunable optical band gap on sapphire substrates by photoluminescence, UV/Vis and raman spectroscopy, J. Mex. Chem. Soc., 52 (3): 212-218
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional del INAOE
Descargas
285