Título

Degradation and Breakdown of W–La2O3 Stack after Annealing in N2

Autor

JOEL MOLINA REYES

ALFONSO TORRES JACOME

WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

PMA - (PMA) SILC - (SILC) Breakdown - (BREAKDOWN) Reliability - (RELIABILITY) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI)

Resumen o descripción

We report the effect of relatively high-voltage stressing (under substrate injection) on the stress-induced leakage current (SILC) and breakdown of W–La2O3 stacked structures. It is shown that the gate area of the metal–insulator–semiconductor (MIS) devices under evaluation influences their final degradation characteristics after stress. Once the samples reach breakdown, their post-breakdown current–voltage (I–V) characteristics suggest that leakage spots are highly localized and are caused by the accumulation of defects.

Editor

The Japan Society of Applied Physics

Fecha de publicación

2008

Tipo de publicación

Artículo

Versión de la publicación

Versión aceptada

Recurso de información

http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1098

Formato

application/pdf

Idioma

Inglés

Audiencia

Estudiantes

Investigadores

Público en general

Sugerencia de citación

Molina-Reyes, J. , et al., (2008). Degradation and Breakdown of W–La2O3 Stack after Annealing in N2, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 47 (9): 7076–7080

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

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354