Título
Electrical Parameters Extraction of CMOS Floating-Gate Inverters
Extracción de parámetros eléctricos de inversores CMOS de compuerta flotante
Autor
JESUS EZEQUIEL MOLINAR SOLIS
VICTOR HUGO PONCE PONCE
RODOLFO ZOLA GARCIA LOZANO
ALEJANDRO DIAZ SANCHEZ
JOSE MIGUEL ROCHA PEREZ
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
FG-inverter - (FG-INVERTER) neuMOS - (NEUMOS) Floating- gate - (FLOATING- GATE) inversor de compuerta flotante - (INVERSOR DE COMPUERTA FLOTANTE) NeuMOS - (NEUMOS) Compuerta flotante - (COMPUERTA FLOTANTE) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI)
Resumen o descripción
This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factory, of cmos floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. with the methodology proposed in this paper, the γ factor and other parasitic capacitances coupled to the floating-gate can be easily extracted in a mismatch-free approach. this parameter plays an important role in modern analog and mixed-signal cmos circuits, since it limits the circuit performance. theoretical and measured values using two test cells, fabricated in a standard double poly double metal cmos ami-abn process with 1.2 μm design rules, were compared. the extracted parameters can be incorporated into floating-gate ps pice macromodels for obtaining accurate electrical simulation.
En este trabajo se brinda una metodología precisa para la extracción del factor de ganancia γ de la compuerta flotante en inversores CMOS, que constan de un interruptor para acceder temporalmente a la compuerta flotante. Con la metodología propuesta, el factor γ y otras capacitancias parásitas acopladas a la compuerta flotante pueden ser extraídas. Estos parámetros son de mucha importancia, ya que juegan un papel importante en el desempeño de circuitos analógicos y de señal mixta. La comparación entre cálculos teóricos y simulaciones es hecha utilizando dos celdas de prueba fabricadas de tecnología AMI ABN de 1.2 µm, a través de la organización MOSIS. Los parámetros extraídos pueden ser incorporados a macromodelos en PSpice para obtener simulaciones más precisas.
Editor
FI-UNAM
Fecha de publicación
2010
Tipo de publicación
Artículo
Versión de la publicación
Versión aceptada
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Inglés
Audiencia
Estudiantes
Investigadores
Público en general
Sugerencia de citación
Molinar-Solís J.E., et al., (2010). Electrical parameters extraction of CMOS floating-gate inverters, Ingeniería Investigación y Tecnología, Vol. XI (3): 315-323
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional del INAOE
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