Título

Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C

Autor

MIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ

Pedro Rosales Quintero

ALFONSO TORRES JACOME

Joel Molina Reyes

MARIO MORENO MORENO

CARLOS ZUÑIGA ISLAS

Wilfrido Calleja Arriaga

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI)

Resumen o descripción

En este trabajo, se ha realizado la caracterización del oxido de silicio SOG (SOG-SiO2) depositado por la técnica sol-gel y recocido a 200 °C. Los resultados de la caracterización óptica y eléctrica muestran que los valores del índice de refracción (n) y de la constante dieléctrica (k) son muy cercanos a aquellos valores comúnmente reportados para el SiO2 crecido térmicamente. Nuestros resultados sugieren que el SOG-SiO2 recocido a 200 °C puede ser una alternativa para mejorar las características eléctricas de los transistores de película delgada (TFTs), entre otros dispositivos que son fabricados a bajas temperaturas.

Currently, the flexible electronics research field is of high interest because of the development of low cost products, such as solar cells and LCDs. Low temperature deposition processes are required in order to use flexible substrates. Nevertheless, the performance of the electronic devices built at temperatures below 350 °C is not as good as in CMOS technology. Thus, physical and electrical properties of semiconductor and insulator materials deposited at these low temperatures must be improved. In this work, characterization of SiO2 annealed at 200°C has been done. The optical and electrical characterization showed that the refractive index (n) and dielectric constant (k) values are similar to those of thermally grown SiO2. As can be observed, these results suggest that this SiO2 annealing at 200°C could be an alternative to improve electrical characteristics of TFTs, among other device applications.

Editor

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales

Fecha de publicación

2011

Tipo de publicación

Artículo

Versión de la publicación

Versión aceptada

Recurso de información

http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1832

Formato

application/pdf

Idioma

Español

Audiencia

Estudiantes

Investigadores

Público en general

Sugerencia de citación

Domínguez-Jímenez, M.A. , et al., (2011). Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C, Superficies y Vacío, Vol. 24 (1): 1-4

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

Descargas

280