Título
Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors
Autor
Miguel Dominguez
Pedro Rosales Quintero
ALFONSO TORRES JACOME
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Resumen o descripción
In this work the electrical characterization of n-channel a-SiGe:H TFTs with planarized gate electrode is presented. The planarized a-SiGe:H TFTs were fabricated at 200°C on corning glass substrate. The devices exhibit a subthreshold slope of 0.56 V/Decade, an on/off-current ratio approximately of 10⁶ and off-current approximately of 0.3x10⁻¹² A. The results show an improvement of the electrical characteristics when are compared to those unplanarized devices fabricated at higher temperature. Moreover, the simulation of the device using a SPICE model is presented.
Editor
Revista Mexicana de Física
Fecha de publicación
enero de 2013
Tipo de publicación
Artículo
Versión de la publicación
Versión aceptada
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Inglés
Audiencia
Estudiantes
Investigadores
Público en general
Sugerencia de citación
Dominguez, M., et al., (2013). Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors, Revista Mexicana de Física, Vol. 59(1):62–65
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional del INAOE
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