Título

Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors

Autor

Miguel Dominguez

Pedro Rosales Quintero

ALFONSO TORRES JACOME

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Resumen o descripción

In this work the electrical characterization of n-channel a-SiGe:H TFTs with planarized gate electrode is presented. The planarized a-SiGe:H TFTs were fabricated at 200°C on corning glass substrate. The devices exhibit a subthreshold slope of 0.56 V/Decade, an on/off-current ratio approximately of 10⁶ and off-current approximately of 0.3x10⁻¹² A. The results show an improvement of the electrical characteristics when are compared to those unplanarized devices fabricated at higher temperature. Moreover, the simulation of the device using a SPICE model is presented.

Editor

Revista Mexicana de Física

Fecha de publicación

enero de 2013

Tipo de publicación

Artículo

Versión de la publicación

Versión aceptada

Formato

application/pdf

Idioma

Inglés

Audiencia

Estudiantes

Investigadores

Público en general

Sugerencia de citación

Dominguez, M., et al., (2013). Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors, Revista Mexicana de Física, Vol. 59(1):62–65

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

Descargas

106

Comentarios



Necesitas iniciar sesión o registrarte para comentar.