Título

Desarrollo de micro-bolómetros no enfriados basados en Silicio y Germanio Polimorfo

Autor

RICARDO JIMENEZ ZAVALA

Colaborador

MARIO MORENO MORENO (Asesor de tesis)

ALFONSO TORRES JACOME (Asesor de tesis)

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

Bolometer - (BOLÓMETRO) Silicon-germanium alloys - (ALEACIONES DE SILICIO-GERMANIO) Plasma chemical vapour deposition - (DEPÓSITO QUÍMICO DE PLASMA POR VAPOR) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI)

Resumen o descripción

Los sistemas de detección infrarroja son una tecnología clave en diversas

aplicaciones civiles y militares, especialmente en rastreo de objetivos, visión

nocturna, mantenimiento preventivo, etc.

A diferencia de los detectores infrarrojos de fotones que requieren

costosos dispositivos de enfriamiento, los sistemas basados en microbolómetros

pueden operar a temperatura ambiente. Esta característica les

brinda ventajas como un menor consumo de potencia, peso reducido y

volumen que finalmente resulta en un equipo de bajo costo.

En este trabajo se han fabricado y caracterizado micro-bolómetros con

área de 50x50 μm2. Se utilizaron películas termo-sensoras basadas en

germanio polimorfo, silicio polimorfo y sus aleaciones en estado polimorfo.

El proceso de fabricación fue realizado en el laboratorio de

microelectrónica y el laboratorio de innovación en MEMS (LIMEMS) del

INAOE. Se implementaron 16 diseños distintos de micro-bolómetros tipo

puente con el fin de evaluar el desempeño de los sensores bajo las

variaciones geométricas y la estabilidad mecánica al final del proceso de

fabricación.

Las películas termo-sensoras y estructurales fueron preparadas por

medio de la técnica Low Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor

Deposition (LF-PECVD) a 200 °C, lo cual permite obtener una total

compatibilidad con un post-proceso CMOS. Se emplearon 8 películas termosensoras

con un elevado Coeficiente Térmico de Resistencia (TCR), que

resultaron en sensores con una detectividad en el rango de 107-109

cm·Hz1/2/W y resistencias eléctricas del orden de 1 MΩ.

Editor

Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica

Fecha de publicación

febrero de 2013

Tipo de publicación

Tesis de maestría

Versión de la publicación

Versión aceptada

Recurso de información

http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/264

Formato

application/pdf

Idioma

Español

Audiencia

Estudiantes

Investigadores

Público en general

Sugerencia de citación

Jimenez-Zavala R.

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

Descargas

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