Título

Study of luminescence on multiple SRO structures with the posibility to obtain electroluminescence

Autor

KARIM MONFIL LEYVA

Colaborador

MARIANO ACEVES MIJARES (Asesor de tesis)

ZHENRUI YU (Asesor de tesis)

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Resumen o descripción

En los últimos años se ha intensificado la búsqueda de dispositivos

optoelectrónicos basados en silicio (Si) y sobrepasar su desventaja como

semiconductor de banda indirecta. Actualmente el óxido de silicio enriquecido (SRO)

se considera uno de los materiales con mayor potencial para aplicaciones

optoelectrónicas porque se obtiene fácilmente por diferentes técnicas, es compatible

con el proceso metal-óxido-semiconductor (MOS) y presenta importantes

propiedades ópticas como baja reflectancia, absorción en el espectro ultravioleta,

fuerte emisión en el visible así como interesantes propiedades eléctricas como

atrapamiento de carga, bloqueo Coulómbico, tuneleo directo y tuneleo Fowler

Nordheim.

En este trabajo se presenta un estudio de propiedades ópticas y eléctricas de

estructuras de SRO multicapas obtenidas depósito químico por vapor a baja presión

(LPCVD) sin y con implantación de Si. El exceso de Si en las películas de SRO fue

controlado por la razón dada por Ro=N2O/SiH4. Los efectos combinados producidos

por el apilamiento de capas de SRO, la implantación de silicio e incremento en la

dosis de implantación sobre la fotoluminiscencia (PL) de las multicapas fueron

analizados. Los espectros de absorbancia fueron obtenidos para identificar

compuestos y tipos de enlace. La morfología superficial fue investigada empleando

microscopía de fuerza atómica (AFM). Las propiedades estructurales fueron

obtenidas mediante microscopía de transmisión de electrones (TEM). Los

mecanismos de inyección de carga fueron investigados mediante mediciones de

capacitancia-voltaje (C-V) y corriente-voltaje (I-V). Las muestras multicapas

confirmaron la fuerte relación entre el exceso de Si y la PL, absorción óptica,

morfología superficial, microestructura y mecanismo de conducción. La implantación

de silicio no mostró una influencia significativa al aplicarse en muestras con SRO

multicapas a diferencia de lo observado en capas sencillas.

En el trabajo también se presentan los resultados y análisis de algunas de las

principales propiedades ópticas de películas con Ro=30 al variar el grosor de las

mismas. Las capas sencillas con Ro=30 confirmaron la relación y efecto de volumen

del SRO asociado con la PL y el mecanismo de emisión.

Editor

Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica

Fecha de publicación

2009

Tipo de publicación

Tesis de doctorado

Versión de la publicación

Versión aceptada

Formato

application/pdf

Idioma

Inglés

Audiencia

Estudiantes

Investigadores

Público en general

Sugerencia de citación

Monfil-Leyva K.

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

Descargas

1033

Comentarios



Necesitas iniciar sesión o registrarte para comentar.