Título
Fabricación de heterouniones con un Óxido Conductor Transparente (TCO) y Óxido de Silicio fuera de estequiometría (SRO)
Autor
MARCO POLO GONZÁLEZ ARROYO
Colaborador
MARIANO ACEVES MIJARES (Asesor de tesis)
MARCO ANTONIO VASQUEZ AGUSTIN (Asesor de tesis)
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Resumen o descripción
En este trabajo se presenta el proceso de fabricación y caracterización de una heterounión obtenida al depositar una película de un óxido conductor transparente (TCO) sobre una película de óxido de silicio rico en silicio (SRO). Como TCO se propuso usar una película de óxido de indio impurificado con zinc (IZO) u óxido de zinc impurificado con aluminio (AZO). Como primera etapa, se presentan los resultados de la caracterización de películas IZO y AZO depositadas sobre sustratos de vidrio Corning mediante la técnica de depósito RF Magnetrón Sputtering. El depósito de películas IZO se realizó usando un blanco cerámico de IZO (In2O3:ZnO, 90:10 wt% de Kurt J. Lesker) en ambiente de argón a temperatura ambiente. La caracterización eléctrica, óptica, estructural y morfológica de estas películas se realizó mediante mediciones de 4 Puntas, Efecto Hall, Transmitancia, Fotoluminiscencia, Difracción de Rayos X (XRD) y Microscopio de Fuerza Atómica (AFM). El estudio de las películas se realizó en función de los parámetros de depósito como potencia, presión, tiempo, flujo de oxígeno durante el depósito y tratamientos térmicos post-depósito.
Editor
Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
Fecha de publicación
agosto de 2015
Tipo de publicación
Tesis de maestría
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Español
Audiencia
Público en general
Sugerencia de citación
Gonzalez-Arroyo M.P.
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional del INAOE
Descargas
2239