Título

Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells

Autor

ISAAC RODRIGUEZ VARGAS

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) Pozos ±-dopados estructura electrónica efectos de muchos cuerpos

Resumen o descripción

We compute the electron level structure (n-type) and the hole subband structure (p-type) of double ±-doped GaAs (DDD) quantum wells, considering exchange effects. The Thomas-Fermi (TF), and Thomas-Fermi-Dirac (TFD) approximations have been applied in order to describe the bending of the conduction and valence band, respectively. The electron and the hole subband structure study indicates that exchange effects are more important in p-type DDD quantum wells than in n-type DDD. Also our results agree with the experimental data

available.

Calculamos la estructura de niveles electrónicos (tipo-n), as´ı como la de huecos (tipo-p) de pozos cuánticos ±-dopados dobles (DDD) en GaAs. Se han tomando en cuenta los efectos de intercambio en el estudio. Las aproximaciones de Thomas-Fermi (TF) y Thomas-Fermi-Dirac (TFD) han sido implementadas para describir el doblamiento de la banda de conducci´on y de valencia respectivamente. El estudio de la estructura de niveles electr´onicos y de huecos revela que los efectos de muchos cuerpos son más importantes en los pozos DDD tipo-p que en los DDD tipo-n. De la misma manera nuestros resultados están en buen acuerdo con los datos experimentales disponibles.

Producción Científica de la Universidad Autónoma de Zacatecas UAZ

Fecha de publicación

diciembre de 2004

Tipo de publicación

Artículo

Recurso de información

http://hdl.handle.net/20.500.11845/630

0035-001X

Formato

application/pdf

Idioma

Inglés

Audiencia

Público en general

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional Caxcán

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