Título
Silicio con canales conductivos de carbón como ánodo de bacterias de ion-Li
Autor
MAYARA DEL PILAR OSORIO GARCIA
Colaborador
ENRIQUE QUIROGA GONZALEZ (Asesor de tesis)
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Resumen o descripción
"En la presente tesis, se aborda el problema de las limitaciones de velocidad de carga/descarga de ánodos a base de Si. La solución propuesta en este trabajo es el crear canales conductivos de carbón en el interior de Si. La propuesta consiste en la fabricación de ánodos de un compósito a base de silicio poroso y carbón (SiPC), por medio de grabado químico asistido por metal (MACE, por sus siglas en inglés) de poros en Si (creación de silicio poroso - SiP) y posterior pirólisis de sacarosa (C12H22O11, usado como precursor de carbón) en el interior de los poros. La idea es que los canales de carbón aumenten la conductividad electrónica de Si al tenerlo en forma del compósito, mejorando así su velocidad de carga/descarga en comparación con SiP. Los resultados de espectroscopía de impedancia (EI) muestran aumento en la conductividad electrónica de SiP debido a la adición de carbón. Esto también se puede inferir de las curvas de ciclado de carga/descarga, donde los ánodos de SiPC alcanzan capacidades mayores a los de SiP a velocidades iguales de carga. Tomando en cuenta que se tiene una misma cantidad de material activo (Si) en ambos conceptos de ánodo, se puede decir que los ánodos de SiPC soportan velocidades de carga/descarga superiores. Con base en los resultados experimentales se presenta un modelo de transporte de carga, que explica el comportamiento eléctrico del material fabricado."
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Fecha de publicación
noviembre de 2017
Tipo de publicación
Tesis de maestría
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Español
Audiencia
Público en general
Público en general
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
Descargas
0