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Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors

Miguel Dominguez Pedro Rosales Quintero ALFONSO TORRES JACOME (2013)

In this work the electrical characterization of n-channel a-SiGe:H TFTs with planarized gate electrode is presented. The planarized a-SiGe:H TFTs were fabricated at 200°C on corning glass substrate. The devices exhibit a subthreshold slope of 0.56 V/Decade, an on/off-current ratio approximately of 10⁶ and off-current approximately of 0.3x10⁻¹² A. The results show an improvement of the electrical characteristics when are compared to those unplanarized devices fabricated at higher temperature. Moreover, the simulation of the device using a SPICE model is presented.

Article

Thin-film transistor Hydrogenated amorphous silicon–Germanium Low-temperature Spin-on glass Spice CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA FÍSICA ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA

Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors

Miguel Dominguez Pedro Rosales Quintero ALFONSO TORRES JACOME (2013)

In this work the electrical characterization of n-channel a-SiGe:H TFTs with planarized gate electrode is presented. The planarized a-SiGe:H TFTs were fabricated at 200°C on corning glass substrate. The devices exhibit a subthreshold slope of 0.56 V/Decade, an on/off-current ratio approximately of 10⁶ and off-current approximately of 0.3x10⁻¹² A. The results show an improvement of the electrical characteristics when are compared to those unplanarized devices fabricated at higher temperature. Moreover, the simulation of the device using a SPICE model is presented.

Article

Thin-film transistor Hydrogenated amorphous silicon–Germanium Low-temperature Spin-on glass Spice CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA FÍSICA ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA

Evaluación de las propiedades eléctricas de recubrimientos ultradelgados de ZnO en función de distintos tratamientos térmicos

Evaluation of the electrical properties of ultrathin ZnO coatings as a function of different heat treatments

Ivonne Julieta Silva Contreras (2021)

En los últimos años ha habido un gran interés en el ZnO, a causa de sus perspectivas en aplicaciones electrónicas, principalmente para su aplicación en dispositivos electrónicos con circuitos integrados más rápidos y pequeños. Esto ha ocasionado que los métodos de fabricación convencionales vayan alcanzando su límite, por lo que se buscan métodos innovadores para obtener ZnO con un alto control de espesor y alta calidad para cubrir la demanda actual. Debido a ello, se propuso la evaluación eléctrica de recubrimientos ultradelgados de ZnO, crecidos por el método depósito por capa atómica, sobre superficies dieléctricas sometidos a tratamientos térmicos a distintas temperaturas en atmósfera de aire para promover su cristalinidad. Las mediciones eléctricas de los recubrimientos se realizaron primero por dos puntas a temperatura ambiente, observándose un comportamiento óhmico en todas las películas y una tendencia progresiva en el valor de resistencia eléctrica con la temperatura de recocido. Por otro lado, las mediciones de resistividad y número de portadores de carga se realizaron por el método de Van der Pauw con efecto Hall y por la espectroscopía de impedancia, donde se observó una disminución de la conductividad del ZnO en función de la temperatura del recocido a causa de la disminución del número de portadores por m3, y de la movilidad de electrones. Por su parte, se efectuaron caracterizaciones de estructura cristalina por medio de difracción de rayos-X, donde se determinó que la estructura cristalina de todos los recubrimientos es hexagonal tipo wurtzita. Además, cálculos de tamaño de grano muestran un aumento de su tamaño cuando se les somete a los recocidos y a su vez se ve reflejado en el aumento de la rugosidad de las películas, las cuales fueron medidas a partir de micrografías obtenidas por microscopía de fuerza atómica. Finalmente, se sugiere que los recubrimientos de ZnO bajo estas condiciones de síntesis sean aplicados para la fabricación de sensores de hidrógeno.

There has been significant interest in ZnO in recent years because of its prospects in electronic applications, mainly for its application in electronic devices with faster and smaller integrated circuits. This has caused conventional manufacturing methods to reach their limit, so innovative methods are being sought to obtain ZnO with high thickness control and high quality to meet current demand. Due to this, the electrical evaluation of ultrathin ZnO coatings, grown by the atomic layer deposition method, on dielectric surfaces subjected to heat treatments at different temperatures in an air atmosphere to promote their crystallinity was proposed. The electrical measurements of the coatings were carried out first by two points at room temperature, observing an ohmic behaviour in all the films and a progressive trend in the electrical resistance value with the annealing temperature. On the other hand, the resistivity measurements and the number of charge carriers were carried out by the Van der Pauw method with Hall effect and impedance spectroscopy, where a decrease in the conductivity of ZnO was observed as a function of the annealing temperature, caused by the decrease in the number of carriers per m3, and the mobility of electrons. Meanwhile, characterizations of the crystalline structure were carried out using X-ray diffraction, where it was determined that the crystalline structure of all the coatings is hexagonal wurtzite type. In addition, grain size calculations show an increase in size when subjected to annealing and are reflected in the increase in the roughness of the films, which were measured from micrographs obtained by atomic force microscopy. Finally, it is suggested that ZnO coatings under these synthesis conditions be applied to manufacture hydrogen sensors.

Master thesis

ZnO películas delgadas, tratamientos térmicos, ALD, propieades eléctrica ZnO thin films, heat treatments, electrical properties INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA CIENCIAS TECNOLÓGICAS TECNOLOGÍA DE MATERIALES PROPIEDADES DE LOS MATERIALES PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

Efecto del tratamiento térmico en el almacenamiento de energía de nano-dispositivos basados en películas delgadas de YSZ

Effect of thermal annealing in the energy storage of YSZ thin film based nano-devices

Alejandro Mendoza Gómez (2021)

En el presente trabajo de tesis se busca mejorar la capacidad de almacenamiento de energía de una batería de estado sólido basada en películas delgadas Au-YSZ-Ru. Para mejorarla es necesario incrementar la conductividad iónica (movimiento de iones a través de vacancias) del electrolito de YSZ. En la literatura se reporta que el efecto de los tratamientos térmicos en óxidos es generar vacancias de oxígeno. Sin embargo, no se cuenta con un control cuantitativo de la generación de vacancias. Una de las propuestas para controlar la concentración de vacancias es variar el presupuesto térmico (temperatura + tiempo de permanencia) del horneado. Existe un tiempo de permanencia que genera un máximo en la concentración de vacancias de oxígeno, pero al exceder este tiempo la concentración disminuye. Las vacancias de oxígeno de cada muestra generadas por el tratamiento térmico son de diferente naturaleza debido a que cuentan con diferente energía de activación. Se obtuvo la mejor capacidad de almacenamiento de energía para la muestra sometida a 4 horas de tratamiento térmico, la cual cuenta con la mayor concentración de vacancias de oxígeno y la menor energía de activación. Sin embargo, una concentración de vacancias de oxígeno similar no indica que la capacidad de almacenaje será la misma. Existe un mecanismo de conductividad adicional a la conductividad iónica que parece ser responsable de esta diferencia. Posiblemente, este tipo de conductividad ocurre por medio de protones de hidrógeno. La concentración de protones es proporcional a la concentración de grupos OH, la cual fue máximo después de 8 horas de tratamiento térmico.

In the present thesis work we’re looking to improve the energy storage capacity of a solid state battery based on Au-YSZ-Ru thin films. To improve it, it’s necessary to increase the ionic conductivity (movement of ions through vacancies) of the YSZ electrolyte. It’s reported in the literature that the effect of thermal annealing in oxides is to generate oxygen vacancies. However, there is no quantitative control of the generation of vacancies. One of the proposals to control the concentration of vacancies is to vary the thermal budget (temperature + residence time) of the baking. There is a residence time that generates a maximum in the concentration of oxygen vacancies, but the concentration decreases when this time is exceeded. The oxygen vacancies generated by the heat treatment for each of the samples are of a different nature due to the fact that they have different activation energy. The best energy storage capacity was obtained for the sample subjected to 4 hours of heat treatment, which has the highest concentration of oxygen vacancies and the lowest activation energy. However, a similar oxygen vacancy concentration does not indicate that the storage capacity will be the same. There’s a conductivity mechanism additional to ionic conductivity that appears to be responsible for this difference. Possibly, this type of conductivity occurs by means of hydrogen protons. The proton concentration is proportional to the concentration of OH groups, which was maximum after 8 hours of thermal annealing.

Master thesis

almacenamiento de energía, películas delgadas-YSZ, ALD, tratamiento térmico, vacancias de oxígeno energy storage, YSZ-thin film, ALD, thermal annealing, oxygen vacancies INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA CIENCIAS TECNOLÓGICAS TECNOLOGÍA DE MATERIALES RESISTENCIA DE MATERIALES RESISTENCIA DE MATERIALES

Composition and emission characterization and computational simulation of silicon rich oxide films obtained by LPCVD

MARIANO ACEVES MIJARES SERGIO ROMAN LOPEZ (2013)

Silicon rich oxide (SRO) is a silicon compatible material that could solve the light emission limitation inherent to bulk silicon. However, not many applications are yet reported, since still much research has to be done. In this paper, SRO superficial films were obtained by low pressure chemical vapor deposition. Structural and optical characterization was done by X-ray photoelectron spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) corroborating that after annealing, the SiO and the Si₂O phase clearly increases. Emission of SRO in the range between ultra violet and near-infrared is determined by photo, electro and cathode luminescence. Assuming that emission is due to agglomerates of Si–O compounds, computational simulations of cyclic chains of SiO were done to calculate the FTIR spectra, emission and HOMO-LUMO densities. It was found that emission of molecules with less than 10 silicon atoms is not likely to be present in the annealed films. However, for molecules with more than 13 silicon atoms, the emission extends to the visible and near infrared region. The calculated FTIR agrees with the experimental results. Copyright © 2013 John Wiley & Sons, Ltd.

Article

Photo Electro and cathode luminescence SRO films DFT Moieties CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA FÍSICA ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA

Proceso de diseño y reflexión sistémica

Luis Jorge Soto Walls (2019)

14 páginas.

Coordinación de Posgrado de Ciencias y Artes para el Diseño.

El presente artículo aborda el tema de la construcción del conocimiento y sus implicaciones en el aprendizaje del diseño desde una perspectiva sistémica. El propósito central del texto es insistir en la importancia de la reflexión y el pensamiento sistémico e la elaboración de conceptos que puedan ser instrumentados y probados con éxito en diferentes contextos. El ejercicio de la actividad de diseño en estos entornos, requiere de un posicionamiento estratégico, de una visión global más allá de un manejo de técnicas y metodologías eficientistas y rígidas, buscando trascender el simple cumplimiento de instrucciones.

Book part

Pensamiento sistémico, visión holística, pensamiento reflexivo sistémico Thought and thinking. Designers. Teoría del conocimiento. Diseño -- Filosofía. B74 HUMANIDADES Y CIENCIAS DE LA CONDUCTA CIENCIAS DE LAS ARTES Y LAS LETRAS TEORÍA, ANÁLISIS Y CRÍTICA DE LAS BELLAS ARTES ARTES DECORATIVAS

El humor puede ser muy chango. La obra de Ernesto García Cabral en los carteles fílmicos de Tin Tan

JORGE ALBERTO RIVERO MORA (2015)

En el presente ensayo exploraré los diferentes sentidos e intencionalidades que ofrecen algunos carteles representativos de la época de oro del cine mexicano. Específicamente, ahondaré en los carteles fílmicos que el notable dibujante, Ernesto García Cabral, elaboró para algunas de las películas más exitosas de Germán Valdés Tin Tan. De esta manera, si bien los carteles modificaron el entorno urbano y las representaciones de la realidad, me interesa examinar cómo su universo representacional –basado en el sentido del humor y en el relajo influyó en la construcción de interesantes imaginarios.

In this essay I will explore the different meanings and purposes that some representative posters show of the golden age of Mexican cinema. Specifically I delve into film posters that the remarkable artist, Ernesto García Cabral, El Chango, created for some of the most successful films of German Valdés, Tin Tan. Although the posters changed the urban environment and the representations of reality, I’m interested in examining how their representational universe – hilarious sense of humor– influenced the creation of collective imageries.

Article

Imagen, historiografía, cinematografía, representación, discurso. Image, historiography, film, performance, speech. García Cabral, Ernesto, 1890-1968. Film posters. Caricatures and cartoons--Mexico. Carteles de películas. Caricaturistas. NC1460.G39 HUMANIDADES Y CIENCIAS DE LA CONDUCTA CIENCIAS DE LAS ARTES Y LAS LETRAS TEORÍA, ANÁLISIS Y CRÍTICA LITERARIAS

Desarrollo teórico de fotocatalizadores de TiO2 activos en la región visible para la degradación del colorante Anaranjado Ácido 7

Julio Cesar Gonzalez Torres (2019)

107 páginas. Doctorado en Ciencias e Ingeniería de Materiales.

Investigación realizada con el apoyo del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (México). CONACYT.

En este trabajo se estudian las propiedades físicas y químicas del catalizador y los reactivos involucrados en la degradación del colorante anaranjado ácido 7, con el fin de proponer nuevos materiales fotocatalíticos que sean activos y eficientes utilizando la radiación del sol. En la primera parte se presentan los diferentes argumentos que han contribuido a crear los criterios de selección de los fotocatalizadores, estos criterios son: a) los materiales propuestos deben tener un potencial de oxidación similar al TiO2; b) los portadores de carga deben estar en los sitios reactivos; c) la movilidad de los portadores de carga juega un papel importante en la reacción; d) los estados energéticos generados por las impurezas deben ubicarse en los bordes de la bandas de conducción y de valencia; y por último, e) la absorbancia de radiación en la región visible debe ser alta para generar la cantidad necesaria de portadores de carga que permitan la formación de los radicales HO. Para ajustar las propiedades ópticas y electrónicas del TiO2, basándonos en estos criterios, se realizó el dopaje con dos grupos de átomos: los elementos del grupo principal C, N, S y F; y los metales de transición Co, Fe, Ni, Pd y Pt. Se utilizó la física del estado sólido para la descripción de los materiales – generando densidades de estados y estructuras de bandas electrónicas – y la teoría del funcional de la densidad para la descripción electrónica y geométrica de los sistemas. Los sistemas C-TiO2 y S-TiO2, dentro del primer grupo, y el Pt-TiO2 y Pd-TiO2, en el segundo, mejoran las propiedades fotocatalíticas del TiO2. Estos generan la menor cantidad de estados desocupados dentro de la brecha de energía prohibida del material – los metales de transición generan los estados electrónicos en los bordes de ambas bandas y no reducen la movilidad de los portadores de carga. Las vacancias de oxígeno llenan los estados desocupados del dopante y los recorren hacia la banda de valencia “limpiando” la brecha y reduciendo los sitios de recombinación. Por último, se realizó el codopaje del TiO2, utilizando los mejores candidatos de ambos grupos de elementos. El sistema codopado Pt-C-TiO2 es el sistema más eficiente siguiendo las reglas antes descritas, introduce estados ocupados en el borde de la banda de valencia, además, en la superficie (101), el único estado desocupado de los dopantes se mezcla con los orbitales desocupados de los Ti superficiales.

In this work, the physical and chemical properties of the catalyst and reactants involved in the degradation of the acid orange 7 dye are studied to design new photocatalytic materials active and efficient under solar radiation. In the first section, the arguments that have contributed for building the selection criteria of an efficient photocatalyst are presented. These criteria are: a) the proposed materials have to exhibit an oxidation potential similar to the TiO2; b) the photo-generated charge carriers must reach the reactive sites; c) the charge carrier mobility plays an important role in the degradation reaction; d) the energy states generated by the impurities must be located at the energy bands edges; and at last e) the absorbance of visible radiation must be enough to generate the necessary amount of charge carriers to produce the HO● radicals. To tune the optical and electronic properties of the TiO2, based upon these criteria, the doping with two sets of atoms was performed: the main group elements C, N, S, and F and the transition metals Co, Fe, Ni, Pd, and Pt. The calculations were done using the solid state calculations – obtaining the electronic density of states and band structures – and using density functional theory – for the electronic and geometric description of the systems. C-TiO2 and S-TiO2 systems, within the first set, and Pd-TiO2 and Pt-TiO2, within the second, enhance the TiO2 photocatalytic properties. These system generate the least amount of unoccupied states within the energy band gap of the materials – both transition metals generate electronic states in the boundaries of the valence and conduction band and do not reduce the charge carrier mobility. Oxygen vacancies fill the empty states of the dopants and shift them towards to the valence band, “cleaning” the gap and reducing the recombination sites. Finally, the codoping of TiO2 was done using the best candidates of both element sets. The Pt-C-TiO2 codoped system is the most efficient according to the described rules. This codoped material introduces occupied states at the valence band edge, moreover in the (101) surface, the only unoccupied state of the dopant is mixed with the surface unoccupied TiO2 states.

Doctoral thesis

Water--Purification--Photocatalysis. Titanium dioxide films--Electric properties. Titanium dioxide--Reactivity. Agua -- Purificación -- Fotocatálisis. TD468 INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA CIENCIAS TECNOLÓGICAS INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA QUÍMICAS TECNOLOGÍA DE LA CATÁLISIS