Título

Síntesis y caracterización de ZnO usando la técnica CVD para el desarrollo de transistores

Autor

JOSE ANTONIO GALLARDO CUBEDO

Colaborador

ALICIA VERA MARQUINA (Asesor de tesis)

ANTONIO RAMOS CARRAZCO (Asesor de tesis)

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

TK7871.9 .G34 - (LCC) Transistores - (LCSH) Semiconductores - (LCSH) TRANSISTORES - (CTI)

Resumen o descripción

Tesis de maestría en ciencias en electrónica

En este proyecto de investigación, se propone el crecimiento del semiconductor ZnO, utilizando la técnica de depósito de vapor químico (CVD, por sus siglas en inglés), para el desarrollo de transistores de efecto de campo, así mismo, se presenta la fabricación y puesta en marcha de un reactor CVD, diseñado y ensamblado en el centro de investigación nanoFAB de la Universidad de Sonora.

Fecha de publicación

noviembre de 2018

Tipo de publicación

Tesis de maestría

Recurso de información

http://www.repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/1868

Formato

application/PDF

Idioma

Español

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional UNISON

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