Título
Caracterización de los elementos parásitos de los TEC InP
Characterization of fet's InP parasitics elements
Autor
Jaime Camacho Urrea
Colaborador
J. Apolinar Reynoso Hernandez (Asesor de tesis)
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Síntesis de antena,Optimización evolutiva,Direccionamiento de haz,Sistemas multihaz,Red de formación de haz,Estructuras periódicas de radiación coherente (CORPS),Agrupaciones lineales y bidimensionales - (AUTOR) INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA - (CTI) CIENCIAS TECNOLÓGICAS - (CTI) TECNOLOGÍA DE LAS TELECOMUNICACIONES - (CTI)
Resumen o descripción
En éste trabajo de tesis se trabajó en la extracción de los elementos parásitos de los transistores de efecto de campo en tecnología arseniuro de galio (GaAs) y fosfuro de indio (InP), utilizando bajos niveles de polarización en la compuerta. Para los transistores GaAs se realizó una caracterización dinámica (RF), la cual nos permite obtener los elementos parásitos mediante la técnica del TEC frío, además aplicamos los modelos adecuados para cada condición de polarización en la compuerta. Por útlimo utilizando los parámetros Y intrínsecos obtuvimos los elementos intrínsecos del modelo propuesto. Para estudiar el efecto que tiene el número de dedos de los transistores en la extracción de las capacitancias parásitas, se realizó un estudio, donde se calcularon las capacitancias parásitas para los modelos Ty ∏de transistores de n dedos. Para los transistores InP, al no tolerar corrientes en la compuerta mayores a 5mA, se propone y desarrolla un método original que trabaja con voltajes en la compuerta que generan corrientes menores a 1mA. Este método toma en cuenta el efecto de la parte imaginaria de Zdy en la obtención de la inductancia parásita de compuerta. Analizando el efecto de la parte real de Zdy en la obtención de la resistencia parásita de compuerta se concluyó que el efecto es despreciable en altas frecuencias. Para lograr mejores resultados en la extracción de los elementos parásitos, se estudió el efecto de las capacitancias parásitas en la extracción de las resistencias e inductancias parásitas, así como el efecto que tiene el colocar las capacitancias en las topologías 1 y 2, donde este efecto es muy importante y se debe tomar en cuenta. Para validar el modelo obtenido se compararon los datos medidos contra los modelados, y por último se analizó el error, el cual fue pequeño.
This dissertation deals with the extraction of FET's GaAs and FET's InP parasitics elements at low gate bias. A dynamic characterization for FET GaAs was used to get the parasitic elements using the Cold FET technique and applying the appropiate model, for each gate bias condition. To complete the model, the intrinsic elements were computed with the intrinsic admitance parameters. To study the number of fingers effect in the extraction of parasitics capacitances, a study was realized using Tand ∏ models in n fingers transistor. The problem with FET's InP is that they don't tolerate gate currents upper than 5mA; for this reason a new method was developed. This new method uses gate currents lower than 1mA and takes into account the imaginary part of Zdy to obtain the gate parasitic inductance. The Zdy real part was analized to get the effect in the gate parasitic resistance, and this effect can be neglected, at high frequencies. To get better values in the parasitic elements extraction, the effect of parasitic capacitances in the extraction of both parasitic resistances and indutances was analized. To validate the gotten model, measurement and modeled data were compared. The resulting errors of this comparation are less than 10%, indicating the excelent agrement between measurement and modeled data.
Editor
CICESE
Fecha de publicación
2000
Tipo de publicación
Tesis de maestría
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Español
Sugerencia de citación
Camacho Urrea, J.2000.Caracterización de los elementos parásitos de los TEC InPTesis de Maestría en Ciencias.Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California.222 pp.
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional CICESE
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