Título
Proceso de grabado seco de silicio monocristalino para aplicaciones en guías de onda coplanares
Autor
REBECA LEAL ROMERO
IGNACIO ENRIQUE ZALDIVAR HUERTA
J. APOLINAR REYNOSO HERNANDEZ
CLAUDIA REYES BETANZO
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Silicio monocristalino - (SILICIO MONOCRISTALINO) Guía de onda coplanar (CPW) - (GUÍA DE ONDA COPLANAR (CPW)) Grabado seco - (GRABADO SECO) SRO - (SRO) Mono-crystalline silicon - (MONO-CRYSTALLINE SILICON) Coplanar waveguide (CPW) - (COPLANAR WAVEGUIDE (CPW)) Dry etching - (DRY ETCHING) SRO - (SRO) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI)
Resumen o descripción
En este trabajo se estudia la utilización de grabado anisotrópico y SRO con la finalidad de mejorar el rendimiento de las guías de onda coplanares. Se presentan resultados experimentales de grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de guías de onda coplanares (CPW's) empleando un reactor RIE/ICP. Se observa la contribución de los componentes tanto físicos como químicos de grabado seco. Los gases reactivos que se utilizan son el hexafluoruro de azufre (SF6) mezclado con oxígeno (O2). Para el grabado se emplean enmascarantes de fotorresina (FR) y óxido de silicio (SiO2), este último es obtenido mediante depósito químico en fase vapor a presión atmosférica (APCVD). Se obtienen velocidades de grabado de 2.8 a 3.4 µm/min al utilizar SiO2 como enmascarante.
In this work, the anisotropic etching and the use of silicon rich oxide (SRO) are studied in order to improve the waveguide coplanar (CPW). Experimental results of dry etching of mono–crystalline silicon for application in CPW's using RIE/ICP reactor are presented. The contribution of the physical as much chemical components of dry etching is observed. The reactive gases that are used are Sulfur hexafluoride (SF6) mixed with oxygen (O2). For etching the silicon masks of photo–resist and silicon oxide (SiO2) are used, this last one is obtained by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD). Speed of etching from 2.8 to 3.4 µm/min are obtained when using SiO2 as mask.
Editor
REVISTA MEXICANA DE FÍSICA
Fecha de publicación
2010
Tipo de publicación
Artículo
Versión de la publicación
Versión aceptada
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Español
Audiencia
Estudiantes
Investigadores
Público en general
Sugerencia de citación
Leal-Romero, R., et al., (2010). Proceso de grabado seco de silicio monocristalino para aplicaciones en guías de onda coplanares, Revista Mexicana de Física, Vol. 56 (1): 92–96
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional del INAOE
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