Título

Evaluación de modelos y metodologías para caracterizar el TMOS en altas frecuencias

Autor

FABIO ALEJANDRO RUIZ MOLINA

Colaborador

ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA (Asesor de tesis)

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

MOSFET modeling - (MODELADO) Small signal models - (SEÑALES) Calibration process - (PROCESO DE CALIBRACIÓN) Equipment configuration - (CONFIGURACIÓN) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI) DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES - (CTI)

Resumen o descripción

El uso masivo del TMOS en la actualidad no tiene precedentes. Existen

varios pronósticos sobre la situación a futuro del TMOS, la mayoría concuerda

con que, al menos de aquí a diez años, éste será la base del desarrollo

tecnológico basado en transistores. Dicho lo anterior, es evidente la necesidad

de tener herramientas que permitan la caracterización del TMOS y que

evolucionen a la par con éste. Dos de las herramientas fundamentales son los

modelos y las metodologías para la extracción de los parámetros de los

modelos. A pesar de que la caracterización del TMOS se puede llevar a cabo

de diferentes maneras, los métodos basados en mediciones en alta frecuencia

están tomando cada vez más relevancia. En el presente trabajo se discute la

caracterización del TMOS operando en pequeña señal, basada en la medición

de los parámetros S. Se comienza abordando, de manera muy general, el

funcionamiento del TMOS.

Editor

Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica

Fecha de publicación

19 de febrero de 2016

Tipo de publicación

Tesis de maestría

Recurso de información

http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/46

Formato

application/pdf

Idioma

Español

Audiencia

Público en general

Sugerencia de citación

Ruiz-Molina F.A.

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

Descargas

2015