Título

Dispositivo para detección de O2 basado en una película de ZnO crecida mediante la técnica de depósito por capa atómica

Device for detection of O2 based on a ZnO film growth by the atomic layer deposition technique

Autor

IRVING GILBERTO FERNANDEZ ALVAREZ

Colaborador

HUGO JESUS TIZNADO VAZQUEZ (Asesor de tesis)

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by/4.0

Materias

Sensor; película delgada; ZnO; ALD - (AUTOR) Sensor; thin film; ZnO; ALD - (AUTOR) INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA - (CTI) CIENCIAS TECNOLÓGICAS - (CTI) INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA ELÉCTRICAS - (CTI) OTRAS - (CTI) OTRAS - (CTI)

Resumen o descripción

En este trabajo se fabricó un dispositivo en base a una película delgada de ZnO para la detección de oxígeno. Se determinó que la sensibilidad depende del espesor, requiriendo un espesor mínimo de 100 nm, para las condiciones utilizadas. La influencia del tipo de aislante eléctrico fue clara, donde el material más adecuado fue Al2O3, puesto que ofrece la mejor sensibilidad. El post-tratamiento térmico de ZnO aumenta la resistividad de la película, y produce picos en los cambios de resistencia un poco más agudos durante la detección de oxígeno. Así mismo, la irradiación con luz UV mejoró la definición de los picos, principalmente por aceleración del proceso de desorción de oxígeno. Finalmente, se encontró que al aumentar la corriente entre electrodos mejora la sensibilidad del dispositivo.

In this work, a device was built based on a ZnO thin film for the detection of oxygen. Sensitivity was determined to be thickness dependent, requiring a minimum thickness of 100 nm, for the conditions applied. The influence of the type of electrical insulator was clear, where the most suitable material was Al2O3, since it offers the best sensitivity. Annealing of the ZnO increases the resistivity of the film, and produces slightly sharper peaks in resistance changes during oxygen detection. Likewise, irradiation with UV light improved the definition of the peaks, mainly by accelerating the oxygen desorption process. Finally, it was found that applying a higher current between electrodes improves the sensitivity of the device.

Editor

CICESE

Fecha de publicación

2020

Tipo de publicación

Tesis de maestría

Recurso de información

http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3266

Formato

application/pdf

Idioma

Español

Sugerencia de citación

Fernández Alvarez, I.G. 2020. Dispositivo para detección de O2 basado en una película de ZnO crecida mediante la técnica de depósito por capa atómica. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 46 pp.

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional CICESE

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