Título

Fabricación y caracterización de transistores de pelicula delgada de a-SiGe:H

Autor

MIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ

Colaborador

PEDRO ROSALES QUINTERO (Asesor de tesis)

ALFONSO TORRES JACOME (Asesor de tesis)

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

Thin film transistors - (TRANSISTORES DE PELÍCULA DELGADA) Amorphous semiconductors - (SEMICONDUCTORES AMORFOS) Schottky barriers - (BARRERAS SCHOTTKY) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI) DISEÑO DE CIRCUITOS - (CTI)

Resumen o descripción

En años recientes los transistores de película delgada (TFTs) han sido utilizados como elementos de conmutación en pantallas de cristal líquido de matriz activa (AMLCD), ya que los materiales con que éstas se fabrican son depositados a temperaturas menores a 320 °C y en sustratos de áreas grandes [1]. El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) ha sido el material mas utilizado como capa activa de estos dispositivos, pero debido a sus bajos valores de movilidad de portadores, es que se han buscado otras alternativas, tales como el uso de silicio policristalino y otros materiales microcristalinos [2]. Sin embargo, el depósito de materiales microcristalinos se realiza a temperaturas mayores a 600 °C. Lo que aumenta el costo de los dispositivos fabricados pues se requiere el uso de substratos más caros. Investigaciones realizadas en el Laboratorio de Microelectrónica del INAOE muestran que la película de silicio germanio amorfo hidrogenado (a-SiGe:H), depositada a una frecuencia de 110 KHz y con una relación de concentraciones en fase gaseosa [GeH4/(SiH4+GeH4)] igual a 0.10, posee excelentes propiedades electrónicas, como son los valores de movilidad de electrones y huecos, de 60 y 10 cm2 V-1 s-1, respectivamente. Esto nos lleva a plantear la hipótesis de que se puede optimizar el funcionamiento de estos dispositivos y seguir utilizando sustratos económicos de vidrio y plástico, con el uso de esta película como capa activa de los TFTs. En este trabajo se describe el proceso de fabricación de los TFTs de a-SiGe:H. Así como la caracterización del dispositivo para determinar los parámetros de interés y las principales figuras de mérito.

Editor

Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica

Fecha de publicación

julio de 2008

Tipo de publicación

Tesis de maestría

Versión de la publicación

Versión aceptada

Recurso de información

http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/422

Formato

application/pdf

Idioma

Español

Audiencia

Estudiantes

Investigadores

Público en general

Sugerencia de citación

Domínguez-Jiménez MA

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

Descargas

1723