Título
Diseño de un sensor de potencia para radio frecuencia
Autor
OSCAR ADDIEL SESEÑA OSORIO
Colaborador
ROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA (Asesor de tesis)
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Resumen o descripción
Este trabajo de investigación presenta el diseño de un sensor de potencia para
Radio Frecuencia (RF) utilizando componentes Micro Electromecánicos (MEMs).
Los sensores son utilizados en muchos ámbitos de la vida con la finalidad de
interpretar los fenómenos físicos a señales eléctricas, los sensores de potencia
son aquellos que determinan la magnitud de energía que tiene una señal
eléctrica.
La presencia de los sensores de potencia en su mayoría son terminales, esto
significa que la señal eléctrica es disipada, esto ha motivado a la investigación de
otro tipo de sensor de potencia no-terminal, el sensor de potencia through
(no–terminal); es aquel que en el proceso de medición no disipa la señal
eléctrica.
El crecimiento en la investigación de MEMs ha mostrado diversas
características como bajo consumo de energía, alta sensibilidad, alta integración
en chip con dimensiones de escalas micrométricas, por mencionar algunos. En
las áreas de electrónica, óptica, medicina, industria, entre otras. En la rama de
comunicaciones en electrónica se han investigado filtros, conmutadores,
capacitores, entre otros, de los cuales destacan con una respuesta más rápida
comparado con los sistemas macro, siendo ésta la razón para el desarrollo de
dispositivos para los sistemas de comunicación.
Los sistemas de comunicación han detonado un gran desarrollo en muchas
áreas de la investigación, éstos sistemas nos brinda comodidad: movilidad,
rapidez, uso eficiente de energía, por mencionar algunos. Para tener un uso
eficaz de la energía es imprescindible tener un sensor de potencia que monitoreé
su intensidad.
Este trabajo de investigación presenta la utilización de un conmutador como
parte del sensor de potencia. En esta tesis se presentan los diferentes
componentes que conforma el sensor de potencia que son: un conmutador RF
MEMs y una guía de onda.
El diseñó de la guía de onda coplanar se realizó a una impedancia de 50Ω para
obtener un buen acoplamiento, el conmutador consta de una membrana que es
suspendida por una red de resortes. Además, se realizó una compensación en
impedancia debido a la combinación de ambos obteniendo una mejora en el
desempeño.
El diseño incluye consideraciones o reglas de diseño para el proceso de
fabricación SUMMiT V de los Laboratorios Nacionales de Sandia en los Estados
Unidos, siendo compatible para la fabricación de circuitos integrados CMOS (CI
CMOS).
Los valores obtenidos en simulación son de S21= –1.0dB y S11= –18dB hasta
una frecuencia de 10GH
Editor
Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
Fecha de publicación
julio de 2011
Tipo de publicación
Tesis de maestría
Versión de la publicación
Versión aceptada
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Español
Audiencia
Estudiantes
Investigadores
Público en general
Sugerencia de citación
Seseña-Osorio O.A.
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional del INAOE
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